TI推出业内最小、最快的GaN驱动器，扩展其GaN电源〓产品组合

关键字：应用 半导体 电源 电力 可靠性 

德州仪器（TI）(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出两款新型高速氮化镓（GaN）场效应△晶体管（FET）驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激←光雷达（LIDAR）以及5G射频（RF）包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高兩人眼中都有著一絲不妙的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率，并可实现以往硅MOSFET无法实●现的5倍更小尺寸解决方案。欲了解更多信息，请访问www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.ti.com.cn/lmg1210-pr-cn.。

凭借业斷人魂内最佳的驱动速度以及1 ns的最小脉冲宽度，LMG1020 60-MHz低侧GaN驱动器可在工业LIDAR应＠用中使用高精度激光器。小型晶圆级芯片（WCSP）封装尺寸仅为0.8 mm x 1.2 mm，有助〒于最大限度地减少栅极环路寄生和损耗，进一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半桥驱动器，专为高达200 V的GaN场效应晶体管而设计。该器件的可调死区时间控制功能能够将高速DC / DC转换器、电☆机驱动器、D类音频放大器及其它功率转换应用效率提高多达5％。设计人员可利用那珠子超过300 V / ns的业内最高共模瞬态抗扰度（CMTI）实现较高的系统抗噪声能力。

• 高速：这两款器件可提供超高速传播延迟（2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]），使电源解决方案比采用硅驱动器快50倍。另外，LMG1020能够提供高※功率1ns激光脉冲，实现远程LIDAR应用。

• 高效率：这两款器件均可实现高效率设计。 LMG1210提供1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制，可将效率提高多达5％。

• 功率密度：LMG1210中的死区时间↘控制集成功能可减少元件数量并提高效率，使设计人员能够将电源尺寸降低多达80％。功率密鯊魚了度增加的LMG1020，使LIDAR具有业内最小封装和最高分辨率。

 

LMG1020和LMG1210是业》界最大的GaN电源产品组合中的最新成员，从200V驱动器到80V和600V功率级。凭借超过1,000万小时的GaN工艺可靠性测试，TI提供Ψ 可靠的GaN产品以满足对成熟和即用型解决方案的需求，为GaN技术带来数十年的硅制造专业技术和高级器件开发人才。

TI将于当地时间2018年3月4日至8日参展在得克萨斯州圣安东尼奥市▃▃举行的美国国际电力瑞彩祥云下载地址应用展览会（APEC），并展示其广泛的GaN产品组合以及GaN技术。

设计人员可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012评估模块和ξξSPICE模型快速轻松地评估这些新器件。工程师可以利用LIDAR的纳秒激光驱动器参考设计和高速DC / DC转换器的多兆赫GaN功率级参考隨后震驚设计，快速开始他们的氮化镓设计。

LMG1020和LMG1210的原型样品ζ　现已在TI商店和瑞彩祥云下载地址的授权分销网络上提供。 LMG1020采用WCSP封装，而LMG1210采用四方扁平无引脚（QFN）封装。

• 点击链接，报名参加TI 2018 电源设占有欲计研讨会，与TI的电源专家面对面，探讨电源设计中与GaN相关『的话题。

• 查看TI GaN解决方案的GaN电源产品组合。

• 下载应用报告，“利用LMG1210 GaN驱动器的死区时间控制功能来优化效率。”

• 阅读博客文章，“GaN驱动器的开关速度超越现今技术。”

• 加入TI E2E™ 中文社区电源管理论坛，寻找︽氮化镓（GaN）解决方案，获得帮助，并与同行工程师和TI专家分享知识和解决难题

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