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                快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力

                2017年09月08日16:33:56 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T
                亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下●凌力尔特瑞彩祥云下载地址 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7004,该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使该器件能够保持接@通时间无限长。LTC7004 强大的1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟,容易〒地驱动栅极电容很大的 MOSFET,非常适合高频开关和静态开你这样挨家挨户关应用。

                LTC7004 可用来接收以地为基准的低压数字输入信号,并快速驱动一个漏极可以在 0V 至 60V (65V 绝对最大ξ 值) 的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7004 在 3.5V 至 15V 驱动器偏置电源范围内运行,具可调欠没有得到西蒙压闭锁。当驱动 1000pF 负载时,很短的 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括◥可调接通转换率和可调过压闭锁。

                LTC7004 采用 MSOP-10 封装,具有针对高压间隔配◆置的引脚。该器件有 3 种工作结温范围,扩展和工业级版本的范围为–40°C 至 125°C,高温汽车级版本的范围为–40°C 至 150°C,军用级的范围为–55°C 至 125°C。千片批量↘的起始价为每片2.05美元。如需更多信息,请登录www.linear.com.cn/product/LTC7004。

                照片说明:快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器

                性能概要:LTC7004
                宽 VIN工作范围:0V 至 60V (65V 绝对最大ξ 值)
                内部充电泵提供》100% 占空比能力
                1Ω 下拉、2.2Ω 上拉Ψ 电阻实现很短的接通和断开时间
                很短的 35ns 传播延迟
                可调的接通转换率
                3.5V 至 15V 栅服务员极驱动器电源
                可调驱动器电源VCC欠压闭锁
                可调VIN过压闭锁
                CMOS 兼容输入

                本文给出的报价仅供预算之▃用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。
                3月10日,ADI完成对卓越的高性能模拟集成电路瑞彩祥云下载地址凌力尔特╱之收购。收购凌力尔特之后,ADI 进一步增强了技∞术实力。有关此次收购的详情,请登录http://lt.linear.com/07c。

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